ST2263型雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測-改進形范德堡測量方法測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。   
      ST2263型雙電測數(shù)字式四探針測試儀成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺以及PC軟件等部分組成。      
      ST2263型主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統(tǒng)組成，USB通訊接口。儀器主機所有參數(shù)設定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關輸入；具有零位、滿度自校功能；測試功能可自動/手動方式；儀器操作可由配套軟件在PC機上操作完成，也可脫PC機由四探針儀器面板上獨立操作完成。測試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機數(shù)碼管直接顯示，也可連機由軟件界面同步顯示、分析、保存和打??！  
     
     探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。  
     測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。      
          詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》點擊進入  
      ST2263型具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點。  
     儀器于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試，特別是于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。  
三、基本技術(shù)參數(shù)      
3.1  測量范圍      
    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm  
    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□  
    電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω  
3.2  材料尺寸(由選配測試臺決定和測試方式?jīng)Q定)  
    直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限  
    SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.  
    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限.  
    測量方位: 軸向、徑向均可  
3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：  
    (1)量程： 20.00mV～2000mV  
    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字  
3.4  數(shù)控恒流源  
   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A  
   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字  
3.5  四探針探頭（選配其一或加配全部）  
   (1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)  
   (2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào)  
3.6 電源      
   輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W  
3.7 外形尺寸：  
   主機  220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（高）

產(chǎn)品名稱：數(shù)字式四探針測試儀 產(chǎn)品型號： ST2253

數(shù)字式四探針測試儀 型號： ST2253 
概述   
      ST2253型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。 

    儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺以及PC軟件等部分組成。 
    主機主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統(tǒng)組成，USB通訊接口。儀器主機所有參數(shù)設定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關輸入；具有零位、滿度自校功能；測試功能可自動/手動方式；儀器操作可由配套軟件在PC機上操作完成，也可脫PC機由四探針儀器面板上獨立操作完成。測試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機數(shù)碼管直接顯示，也可連機由軟件界面同步顯示、分析、保存和打印！ 
     
    探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。 
     
    測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選SZT-K型測試臺，也可選配SZT-D型測試臺以測試半導體粉末電阻率，選配SZT-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。 
      詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》點擊進入 
    儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點。 
    儀器于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。 
三、基本技術(shù)參數(shù) 
     
3.1  測量范圍 
     電  阻：1×10-4～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω 
    電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm 
    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□ 
3.2  材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定) 
     直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限 
    SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限. 
    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限. 
    測量方位: 軸向、徑向均可 
3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表： 
    (1)量程： 20.00mV～2000mV 
   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字 
3.4 數(shù)控恒流源 
    (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A 
   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字 
3.5 四探針探頭（選配其一或加配全部） 
    (1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào) 
   (2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào) 
3.6. 電源 
    輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W 
3.7.外形尺寸： 
    主   機  220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（高） 
   凈   重：≤2.5kg

產(chǎn)品名稱：砂漿干料流動度測定儀（跳桌法） 干料流動度測定儀 產(chǎn)品型號： NLD-4A

砂漿干料流動度測定儀（跳桌法） 干料流動度測定儀 型號： NLD-4A

本測定儀依據(jù)《客運專線鐵路CRTSII型板式無砟軌道水泥乳化瀝青砂漿暫行技術(shù)條件》干料擴展度試驗方法試驗要求設計生產(chǎn)，控時控轉(zhuǎn)準確，滿足試驗的需要。、
主要技術(shù)參數(shù)：
1、振動部分總重量： 4.35k g±0.15 k g
2、振動部分落差： 10mm ± 0.2 mm
3、振動頻率： 1Hz
4、振動次數(shù)： 15 次自停         
5，振動時間；15S
6、凈重：≈ 20k g

產(chǎn)品名稱：礦用本安手機KT110-S 產(chǎn)品型號：KT110-S

礦用本安手機KT110-S 型號：KT110-S 
主要技術(shù)指標： 
電池類型：可充電錳酸鋰電池；電池型號：hx-01 
電池規(guī)格：3.7v 750mah 
高開路電壓≤ 4.2v 
大短路電流≤3.0a 
大工作電流：≤450ma 
待機電流：≤20ma 
發(fā)射功率：210mw；(50%～120%)